Форум » Радиоюмор » Институт физики полупроводников » Ответить
Институт физики полупроводников
Admin: Институт физики полупроводников Прикольные темы научных работ, мне бы отсыпали того чё там курят :)) http://www.isp.nsc.ru/newface/index.php?ACTION=part&id_main=15&lang=ru Новая двумерная электронно-дырочная система Увеличение силы осциллятора межзонных переходов в системе вертикально совмещенных квантовых точек Ge в Si Спиновое эхо электронов в ансамбле квантовых точек Ge в Si Гигантское комбинационное рассеяние света квантовыми точками CdS Электростатическое экранирование и фриделевские осцилляции в полупроводниковых нанотрубках Эффекты экранирования и осцилляции Фриделя в наноструктурах с квантовыми ямами Сверхпроводящее состояние экситонного диэлектрика Наблюдение перехода в сверхдиэлектрическое состояние в критически разупорядоченных плёнках TiN Гигантское изменение тока в пленках PbSnTe:In в магнитном поле Электронная структура слоистых high-k титанатов Ln2Ti2O7 (Ln = La, Nd, Pr) Особенности пластической релаксации пленок GeSi, выращенных на отклоненных подложках Si(001) Начальные стадии роста напряженных SiGe структур с квантовыми точками методом МЛЭ Исследование начальной стадии пластической релаксации в GeSi островках на Si(100) Формирование плотных массивов наноструктур германия и кремния Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным отрезающим фильтром Выращивание напряженных Ge-Si гетероструктур с высокоподвижным двумерным электронным и дырочным газом Низкотемпературное приготовление Ga-стабилизированной поверхности GaAs(001) обработкой в атомарном водороде Низкотемпературный синтез наностержней гексагонального оксида молибдена h-MoO3 Кремний-на-изоляторе нанопроволочные транзисторы для медицинских биосенсоров Кристаллизация тонких пленок аморфного кремния на нетугоплавких подложках с применением фемтосекундных лазерных импульсов Наблюдение диполь-дипольного взаимодействия холодных ридберговских атомов Кинетика отражения в области экситонных переходов в полупроводниковых наноструктурах Оптическая бистабильность в системе металлических наночастиц Исследование тонких пленок Ga2O3-In2O3 для газовых микросенсоров Применение моделирования электронно-микроскопических изображений для идентификации прорастающих дислокаций в гетеросистеме GeSi-Si(001) Полупроводниковый микрорезонатор на длины волн 0.96 мкм и 1.3 мкм Семейство алгоритмов организации функционирования распределённых вычислительных систем в мультипрограммных режимах
Ответов - 0
полная версия страницы